Родился 22 мая 1903 года в городе Белая Церковь, ныне Киевской области Украины, в рабочей семье. Еврей. Отец был кузнецом, колесником, имел небольшую мастерскую. В Белой Церкви будущий ученый окончил двухклассную еврейскую школу, затем учился в высшем начальном училище, Белоцероковской гимназии.
В 1920 году гимназист Вул добровольцем ушел в Красную Армию. Воевал в Первой конной армии. По возвращении в Белую Церковь был избран секретарем городской организации комсомола и на этой работе оставался несколько месяцев.
В 1921 году Киевским губкомом комсомола был мобилизован в Киевский политехнический институт, где был зачислен на электротехнический факультет. Учебу совмещал с комсомольской работой, в 1922 году вступил в ВКП(б)/КПСС. Выполненная им дипломная работа представляла собой проект тепловой электростанции для будущего Днепрогэса. Еще во время работы над дипломом был зачислен в аспирантуру электротехнического факультета Киевского политехнического института. В январе 1928 году окончил институт и был оставлен аспирантом на кафедре электротехники. Аспирантуру закончил в конце 1929 году, защитив публично диссертацию.
С 1932 года работал в Физическом институте АН СССР. Академик Академии наук СССР (1972, член-корреспондент с 1939 года). Сыграл ключевую роль в разработке первых отечественных полупроводниковых диодов, транзисторов, солнечных батарей и полупроводниковых лазеров. Совместно с Н. Г. Басовым и Ю. М. Поповым предложил идею создания полупроводниковых лазеров, эксимерных лазеров, возбуждаемых электронным пучком. Жил в городе Москве. До последнего дня своей жизни продолжал научную работу. Скончался 9 апреля 1985 года. Похоронен в Москве на Новодевичьем кладбище.
Награды
Указом Президиума Верховного Совета СССР от 13 марта 1969 года «за большие заслуги в развитии советской науки» Вулу Бенциону Моисеевичу присвоено звание Героя Социалистического Труда с вручением ордена Ленина и Золотой медали «Серп и Молот».
Сталинская премия второй степени (1946); за открытие нового сегнетоэлектрика — титаната бария.
Ленинская премия (1964); за создание полупроводникового квантового генератора.
Разработал: Полупроводниковый лазер
Полупроводниковый лазер — твердотельный лазер, в котором в качестве рабочего вещества используется полупроводник. В таком лазере, в отличие от лазеров других типов (в том числе и других твердотельных), используются излучательные переходы не между изолированными уровнями энергии атомов, молекул и ионов, а между разрешенными энергетическими зонами кристалла. В полупроводниковом лазере накачка осуществляется непосредственно электрическим током.
Под именем полупроводниковых часто встречается гибридный лазер из мощного светодиода накачки и наклеенного на него твердотельного активного элемента. Плюс таких лазеров в том что светодиодную структуру накачки можно сделать довольно протяженной и, соответственно, мощной. Механические деформации от нагрева меньше сказываются на активном элементе. "Полупроводниковые" лазеры с мощностями единицы-десятки ватт делают в основном именно по такой технологии. Визуально отличить гибридный лазер от полупроводникового довольно сложно.
Поскольку в полупроводниковом лазере возбуждаются и излучают коллективно атомы, составляющие кристаллическую решётку, сам лазер может обладать очень малыми размерами. Другими особенностями полупроводниковых лазеров являются высокий КПД, малая инерционность, простота конструкции. Типичным представителем полупроводниковых лазеров является лазерный диод — лазер, в котором рабочей областью является полупроводниковый p-n переход. В таком лазере излучение происходит за счет рекомбинации электронов и дырок.
Первая работа о возможности использования полупроводников для создания лазера была опубликована в 1959 Н. Г. Басовым, Б. М. Вулом и Ю. М. Поповым.
Классификация лазеров / ©Youtube
